【】但三星在 QLC 闪存上非常谨慎
为了让每个 NAND 存储 6 位 bpc ，年内到能实所以控制器成本会大幅度提升 ，靠封
本月 CMFS2023（中国闪存市场峰会）在深圳举办 ，装技三星似乎还觉得 3D QLC NAND 搭配的术创控制器还不足以进入大范围使用 。所以最终要实现的点网还是逻辑缩放 ，物理缩放指的星讨新才现蓝是减少闪存单元体积 ，
在闪存芯片技术和工艺方面三星相对来说比较谨慎 ，态硬逻辑缩放和封装创新将在未来 10 年内将固态硬盘容量提升到 1PB ，年内到能实早在 2019 年铠侠就开始讨论每个 NAND 单元存储 5 位 bpc 的靠封 PLC NAND ，换言之 ，装技不过三星认为 1PB 的术创固态硬盘 ，让 NAND 单元体积缩小后可以堆叠更多 NAND 层数；逻辑缩放指的点网是增加每个 NAND 单元存储的位数 。HLC 、星讨新才现蓝英特尔 、因此每增加一位 bpc 都会给制造商带来巨大的困难 。2017 年三星就推出 3D TLC 的 30.72TB 固态硬盘，到 2021 年展示基于 3D QLC NAND 的 128TB SSD 原型 ，铠侠、所以必须容易合成才能满足使用需要；
第三制造商还必须能够管理这类保持大量电压状态的 3D NAND 温度 ，不过没有量产 。紫光展锐 、Solidigm 等行业公司参与该峰会 。计算量暴增也会导致需求的算力增加 ，可能会在未来 10 年的某个时候到来 ，
目前全球闪存芯片出货量和营收最高的都是三星，到 2019 年展示 64TB 固态硬盘 ，随着每个 NAND 位数的增加 ，所以消费者唯一能做的就是 ：等。
铠侠 (原东芝存储) 对 NAND 逻辑缩放更热情 ，
但三星也承认指望靠物理缩放 NAND 体积增加堆叠层数到 1000 层也不能快速增加密度 ，既然如此那 PLC 、只不过人类需要花费更长时间解决问题 ，还要确保每个电压状态不会相互干扰；
其次是这种材料必须量大管饱 ，
而 8bpc OLC 3D NAND 则需要保持 256 个电平状态 ，这需要层叠技术升级和封装技术创新 。三星如此保守的对待 3D QLC NAND 主要是三星希望对闪存控制器进行技术创新 ，即 1024TB 或 1048576GB。Arm 、铠侠认为 8bpc OLC NAND 存储器都是可能的 。
困难在哪里呢 ？材料 。想要将温度保持在一个合理的范围也很困难；
最后 ：还必须研发更可靠的闪存控制器 ，
制造商必须找到可以存储 64 或 256 个电压状态的材料 ，长江存储、三星 、OLC 闪存岂不是还要等待很久 ？
就当前来看三星距离推出新的闪存还很遥远，
不过随着技术的发展这些问题最终都是会被解决的 ，
三星预计还会继续增加 3D NAND 的物理缩放和逻辑缩放 ，控制器还需要使用更复杂的 ECC 算法 ，
三星期待更先进的 3D NAND IC 封装技术 ，之后铠侠工程师还演示了存储 6 位 bpc 的 3D HLC NAND ，从而将 3D QLC NAND 引入主流市场，该公司认为物理缩放 、即每个 NAND 单元增加更多的位数 。NAND 单元必须保持 64 个电平 ，制造商还需要解决成本问题 。
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